
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.488453 | ¥28.49 |
| 10 | ¥18.138658 | ¥181.39 |
| 100 | ¥12.21518 | ¥1221.52 |
| 500 | ¥9.674255 | ¥4837.13 |
| 1000 | ¥8.946283 | ¥8946.28 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 11.8 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 105 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.4 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86 mg
购物车
0CSD17306Q5A
型号:CSD17306Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.488453 |
| 10+: | ¥18.138658 |
| 100+: | ¥12.21518 |
| 500+: | ¥9.674255 |
| 1000+: | ¥8.946283 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.49