FGY75T120SQDN
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥67.806415 | ￥67.81 |
| 30 | ￥54.902418 | ￥1647.07 |
| 120 | ￥51.673432 | ￥6200.81 |
| 510 | ￥46.829041 | ￥23882.81 |
| 1020 | ￥42.953539 | ￥43812.61 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 790 W
集电极连续电流（Max） 75 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 13.628 g
FGY75T120SQDN 同类别型号
注
FGY75T120SQDN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
，可在锐单商城现货采购FGY75T120SQDN、查询FGY75T120SQDN代理商；
FGY75T120SQDN价格批发咨询客服；这里拥有
FGY75T120SQDN中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到FGY75T120SQDN
替代型号
、FGY75T120SQDN
数据手册PDF。
FGY75T120SQDN
型号：FGY75T120SQDN
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥67.806415 |
| 30+： | ￥54.902418 |
| 120+： | ￥51.673432 |
| 510+： | ￥46.829041 |
| 1020+： | ￥42.953539 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥67.81