CSD75208W1015T
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥4.124733 | ￥1031.18 |
| 500 | ￥3.529808 | ￥1764.90 |
| 1250 | ￥2.87545 | ￥3594.31 |
| 2500 | ￥2.706878 | ￥6767.20 |
| 6250 | ￥2.577988 | ￥16112.42 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 150 mOhms, 285 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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注
CSD75208W1015T品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD75208W1015T
数据手册PDF
。
CSD75208W1015T
型号：CSD75208W1015T
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥4.124733 |
| 500+： | ￥3.529808 |
| 1250+： | ￥2.87545 |
| 2500+： | ￥2.706878 |
| 6250+： | ￥2.577988 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00