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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标名 HyperFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 735 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK52N60Q2
型号:IXFK52N60Q2
品牌:IXYS
供货:锐单
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