CSD85301Q2T
库存 ：1344
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.417439 | ￥21.42 |
| 10 | ￥14.456772 | ￥144.57 |
| 100 | ￥10.12739 | ￥1012.74 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
CSD85301Q2T 同类别型号
注
CSD85301Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD85301Q2T
数据手册PDF
。
CSD85301Q2T
型号：CSD85301Q2T
品牌：TI
供货：锐单
库存：1344 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.417439 |
| 10+： | ￥14.456772 |
| 100+： | ￥10.12739 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.42