商品描述
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
54mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
450pF @ 10V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)