货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.486274 | ¥13.49 |
10 | ¥12.076898 | ¥120.77 |
100 | ¥9.417307 | ¥941.73 |
500 | ¥7.779515 | ¥3889.76 |
1000 | ¥6.141602 | ¥6141.60 |
2000 | ¥5.732275 | ¥11464.55 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 12.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC150N03LD G SP000359362
单位重量 154 mg
购物车
0BSC150N03LDGATMA1
型号:BSC150N03LDGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.486274 |
10+: | ¥12.076898 |
100+: | ¥9.417307 |
500+: | ¥7.779515 |
1000+: | ¥6.141602 |
2000+: | ¥5.732275 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.49