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BSC150N03LDGATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
BSC150N03LDGATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.486274 13.49
10 12.076898 120.77
100 9.417307 941.73
500 7.779515 3889.76
1000 6.141602 6141.60
2000 5.732275 11464.55

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 20 A

漏源电阻 12.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 13.2 nC

耗散功率 26 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2 ns

正向跨导(Min) 18 S

上升时间 2.2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns

典型接通延迟时间 2.7 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSC150N03LD G SP000359362

单位重量 154 mg

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BSC150N03LDGATMA1

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型号:BSC150N03LDGATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥13.486274
10+: ¥12.076898
100+: ¥9.417307
500+: ¥7.779515
1000+: ¥6.141602
2000+: ¥5.732275

货期:7-10天

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单价:¥0.00总价:¥13.49