
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.430731 | ¥21.43 |
| 10 | ¥17.487478 | ¥174.87 |
| 100 | ¥13.599944 | ¥1359.99 |
| 500 | ¥11.527734 | ¥5763.87 |
| 1000 | ¥9.390519 | ¥9390.52 |
| 2000 | ¥8.840034 | ¥17680.07 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 90 S
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC022N04LS SP001059844
单位重量 118.240 mg
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0BSC022N04LSATMA1
型号:BSC022N04LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.430731 |
| 10+: | ¥17.487478 |
| 100+: | ¥13.599944 |
| 500+: | ¥11.527734 |
| 1000+: | ¥9.390519 |
| 2000+: | ¥8.840034 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.43