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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.92 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 25 A
耗散功率 37 W
高度 9.8 mm
长度 10.75 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001537372
单位重量 2.300 g
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0IRG6IC30UPBF
型号:IRG6IC30UPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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