CSD83325LT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥4.737228 | ￥1184.31 |
| 500 | ￥4.186526 | ￥2093.26 |
| 1250 | ￥3.305105 | ￥4131.38 |
| 2500 | ￥3.084764 | ￥7711.91 |
| 6250 | ￥2.93052 | ￥18315.75 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
产品 Power MOSFETs
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
CSD83325LT 同类别型号
注
CSD83325LT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD83325LT
数据手册PDF
。
CSD83325LT
型号：CSD83325LT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥4.737228 |
| 500+： | ￥4.186526 |
| 1250+： | ￥3.305105 |
| 2500+： | ￥3.084764 |
| 6250+： | ￥2.93052 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00