
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1545.268255 | ¥1545.27 |
| 25 | ¥1279.997969 | ¥31999.95 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 3 kV
饱和电压 2.7 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 130 A
耗散功率 625 W
集电极连续电流(Max) 130 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 7.500 g
购物车
0IXBK55N300
型号:IXBK55N300
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1545.268255 |
| 25+: | ¥1279.997969 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1545.27