货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.326684 | ¥15.33 |
10 | ¥13.731713 | ¥137.32 |
25 | ¥13.038898 | ¥325.97 |
100 | ¥10.709988 | ¥1071.00 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
产品 Power MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
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0CSD83325LT
型号:CSD83325LT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.326684 |
10+: | ¥13.731713 |
25+: | ¥13.038898 |
100+: | ¥10.709988 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.33