CSD83325LT
库存 ：678
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.5732 | ￥17.57 |
| 10 | ￥15.744445 | ￥157.44 |
| 25 | ￥14.950079 | ￥373.75 |
| 100 | ￥12.27981 | ￥1227.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
产品 Power MOSFETs
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
CSD83325LT 相关产品
CSD83325LT 同类别型号
注
CSD83325LT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购CSD83325LT、查询CSD83325LT代理商；
CSD83325LT价格批发咨询客服；这里拥有
CSD83325LT中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD83325LT
替代型号
、CSD83325LT
数据手册PDF
。
CSD83325LT
型号：CSD83325LT
品牌：TI
供货：锐单
库存：678 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.5732 |
| 10+： | ￥15.744445 |
| 25+： | ￥14.950079 |
| 100+： | ￥12.27981 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.57