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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 250 A
漏源电阻 5 mOhms
耗散功率 730 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTE250N10
型号:IXTE250N10
品牌:IXYS
供货:锐单
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