FGD3N60UNDF
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.280859 | ￥15.28 |
| 10 | ￥13.6509 | ￥136.51 |
| 100 | ￥10.641137 | ￥1064.11 |
| 500 | ￥8.790456 | ￥4395.23 |
| 1000 | ￥6.939774 | ￥6939.77 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 6 A
耗散功率 60 W
集电极连续电流（Max） 3 A
栅极—射极漏泄电流 10 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260.370 mg
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注
FGD3N60UNDF品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD3N60UNDF
数据手册PDF。
FGD3N60UNDF
型号：FGD3N60UNDF
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.280859 |
| 10+： | ￥13.6509 |
| 100+： | ￥10.641137 |
| 500+： | ￥8.790456 |
| 1000+： | ￥6.939774 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.28