FGH75T65SQDT-F155
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥40.72623 | ￥40.73 |
| 10 | ￥34.921847 | ￥349.22 |
| 100 | ￥29.099549 | ￥2909.95 |
| 500 | ￥25.676156 | ￥12838.08 |
| 1000 | ￥23.108553 | ￥23108.55 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 12.203 g
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注
FGH75T65SQDT-F155品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH75T65SQDT-F155
数据手册PDF。
FGH75T65SQDT-F155
型号：FGH75T65SQDT-F155
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥40.72623 |
| 10+： | ￥34.921847 |
| 100+： | ￥29.099549 |
| 500+： | ￥25.676156 |
| 1000+： | ￥23.108553 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥40.73