货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥49.808513 | ¥49.81 |
10 | ¥42.709705 | ¥427.10 |
100 | ¥35.588987 | ¥3558.90 |
500 | ¥31.40215 | ¥15701.07 |
1000 | ¥28.26195 | ¥28261.95 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 12.203 g
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0FGH75T65SQDT-F155
型号:FGH75T65SQDT-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.808513 |
10+: | ¥42.709705 |
100+: | ¥35.588987 |
500+: | ¥31.40215 |
1000+: | ¥28.26195 |
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单价:¥0.00总价:¥49.81