IXTF6N200P3
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- 制造商编号：
- IXTF6N200P3
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：25
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 25 | ￥305.867982 | ￥7646.70 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 Polar3
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 2 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 4.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 215 W
配置 Single
下降时间 46 ns
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage
单位重量 6.500 g
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注
IXTF6N200P3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTF6N200P3
数据手册PDF。
IXTF6N200P3
型号：IXTF6N200P3
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 25+： | ￥305.867982 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00