货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.064899 | ¥19.06 |
10 | ¥15.625741 | ¥156.26 |
100 | ¥12.157924 | ¥1215.79 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11.1 nC
耗散功率 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.700 mg
购物车
0CSD18543Q3AT
型号:CSD18543Q3AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.064899 |
10+: | ¥15.625741 |
100+: | ¥12.157924 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.06