
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.933719 | ¥47.93 |
| 10 | ¥41.510634 | ¥415.11 |
| 30 | ¥40.338297 | ¥1210.15 |
| 100 | ¥39.149447 | ¥3914.94 |
| 500 | ¥38.637583 | ¥19318.79 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 5.600 g
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0DGTD65T50S1PT
型号:DGTD65T50S1PT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.933719 |
| 10+: | ¥41.510634 |
| 30+: | ¥40.338297 |
| 100+: | ¥39.149447 |
| 500+: | ¥38.637583 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥47.93