货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥41.805986 | ¥41.81 |
10 | ¥36.204013 | ¥362.04 |
30 | ¥35.181545 | ¥1055.45 |
100 | ¥34.144676 | ¥3414.47 |
500 | ¥33.698246 | ¥16849.12 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 5.600 g
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0DGTD65T50S1PT
型号:DGTD65T50S1PT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.805986 |
10+: | ¥36.204013 |
30+: | ¥35.181545 |
100+: | ¥34.144676 |
500+: | ¥33.698246 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.81