FGD5T120SH
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.24855 | ￥24.25 |
| 10 | ￥21.628592 | ￥216.29 |
| 100 | ￥16.865284 | ￥1686.53 |
| 500 | ￥13.932326 | ￥6966.16 |
| 1000 | ￥10.999367 | ￥10999.37 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.9 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 10 A
耗散功率 69 W
集电极连续电流（Max） 10 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260.370 mg
FGD5T120SH 同类别型号
注
FGD5T120SH品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD5T120SH
数据手册PDF。
FGD5T120SH
型号：FGD5T120SH
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.24855 |
| 10+： | ￥21.628592 |
| 100+： | ￥16.865284 |
| 500+： | ￥13.932326 |
| 1000+： | ￥10.999367 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.25