RGTH80TS65DGC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.828745 | ￥36.83 |
| 100 | ￥21.287022 | ￥2128.70 |
| 450 | ￥13.495922 | ￥6073.16 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 234 W
集电极连续电流 40 A
集电极连续电流（Max） 70 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TS65D
单位重量 38 g
RGTH80TS65DGC11 同类别型号
注
RGTH80TS65DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGTH80TS65DGC11
数据手册PDF。
RGTH80TS65DGC11
型号：RGTH80TS65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.828745 |
| 100+： | ￥21.287022 |
| 450+： | ￥13.495922 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.83