SH8K1TB1
库存 ：3031
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.167112 | ￥14.17 |
| 10 | ￥12.41039 | ￥124.10 |
| 25 | ￥11.656699 | ￥291.42 |
| 100 | ￥9.513215 | ￥951.32 |
| 500 | ￥7.520753 | ￥3760.38 |
| 1000 | ￥6.016631 | ￥6016.63 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 58 mOhms
耗散功率 2 W
正向跨导（Min） 3 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K1TB1 同类别型号
注
SH8K1TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K1TB1
数据手册PDF。
SH8K1TB1
型号：SH8K1TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3031 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.167112 |
| 10+： | ￥12.41039 |
| 25+： | ￥11.656699 |
| 100+： | ￥9.513215 |
| 500+： | ￥7.520753 |
| 1000+： | ￥6.016631 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.17