货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.860478 | ¥19.86 |
10 | ¥16.529449 | ¥165.29 |
100 | ¥13.153168 | ¥1315.32 |
500 | ¥11.12966 | ¥5564.83 |
1000 | ¥9.443281 | ¥9443.28 |
2000 | ¥8.971154 | ¥17942.31 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 9.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC098N10NS5 SP001241598
单位重量 104.400 mg
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0BSC098N10NS5ATMA1
型号:BSC098N10NS5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.860478 |
10+: | ¥16.529449 |
100+: | ¥13.153168 |
500+: | ¥11.12966 |
1000+: | ¥9.443281 |
2000+: | ¥8.971154 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.86