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NVMFD5877NLT1G

ON(安森美)
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制造商编号：
NVMFD5877NLT1G
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
射频晶体管
商品描述：
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
渠道：
digikey

库存 ：1500

货期：国内（1~3工作日）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1+ ： 需询价

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 17 A

漏源电阻 60 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 5.9 nC

耗散功率 23 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 37.400 mg

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注

NVMFD5877NLT1G品牌厂家：ON ，所属分类： 射频晶体管 ，可在锐单商城现货采购NVMFD5877NLT1G、查询NVMFD5877NLT1G代理商； NVMFD5877NLT1G价格批发咨询客服；这里拥有 NVMFD5877NLT1G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到NVMFD5877NLT1G 替代型号 、NVMFD5877NLT1G 数据手册PDF。

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NVMFD5877NLT1G

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型号：NVMFD5877NLT1G

品牌：ON

供货：锐单

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