货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.827788 | ¥8.83 |
10 | ¥8.582972 | ¥85.83 |
30 | ¥8.424562 | ¥252.74 |
100 | ¥8.266151 | ¥826.62 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 5.9 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 37.400 mg
购物车
0NVMFD5877NLT1G
型号:NVMFD5877NLT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.827788 |
10+: | ¥8.582972 |
30+: | ¥8.424562 |
100+: | ¥8.266151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.83