AO5803E
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
AO5803E
制造商
AOS
商品描述
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
800mOhm @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
100pF @ 10V
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件封装
SC-89-6
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注
AO5803E品牌厂家：AOS
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
AO5803E
型号：AO5803E
品牌：AOS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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