货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥240.542437 | ¥240.54 |
10 | ¥221.86536 | ¥2218.65 |
100 | ¥189.460776 | ¥18946.08 |
500 | ¥176.384679 | ¥88192.34 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 33 ns
漏极电流 32 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 890 W
漏源电阻 350 mOhms
上升时间 27 ns
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 37 ns
漏源击穿电压 600 V
栅源极阈值电压 4 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXTN32P60P
型号:IXTN32P60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥240.542437 |
10+: | ¥221.86536 |
100+: | ¥189.460776 |
500+: | ¥176.384679 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥240.54