
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.188255 | ¥23.19 |
| 10 | ¥19.304225 | ¥193.04 |
| 100 | ¥15.36222 | ¥1536.22 |
| 500 | ¥12.998758 | ¥6499.38 |
| 1000 | ¥11.02906 | ¥11029.06 |
| 2000 | ¥10.477759 | ¥20955.52 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 149 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ019N03LS SP000792362
单位重量 38.760 mg
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0BSZ019N03LSATMA1
型号:BSZ019N03LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.188255 |
| 10+: | ¥19.304225 |
| 100+: | ¥15.36222 |
| 500+: | ¥12.998758 |
| 1000+: | ¥11.02906 |
| 2000+: | ¥10.477759 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.19