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起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥4.955289 | ¥4955.29 |
2000 | ¥4.624936 | ¥9249.87 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 0.7 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVN4306GTA
型号:ZVN4306GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥4.955289 |
2000+: | ¥4.624936 |
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