货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.479772 | ¥8.48 |
10 | ¥7.33251 | ¥73.33 |
100 | ¥5.075394 | ¥507.54 |
500 | ¥4.240884 | ¥2120.44 |
1000 | ¥3.609265 | ¥3609.27 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns, 2.8 ns
正向跨导(Min) 4.6 S, 4.6 S
上升时间 7.7 ns, 7.7 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns, 15.3 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns, 5.6 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL308PE H6327 SP001101004
单位重量 20 mg
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0BSL308PEH6327XTSA1
型号:BSL308PEH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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1+: | ¥8.479772 |
10+: | ¥7.33251 |
100+: | ¥5.075394 |
500+: | ¥4.240884 |
1000+: | ¥3.609265 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.48