货期: 8周-10周
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥451.410761 | ¥13542.32 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 15 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 225 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 76 ns
典型接通延迟时间 56 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 6 g
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0IXFR26N120P
型号:IXFR26N120P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥451.410761 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00