FDMS3669S
库存 ：24000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.264457 | ￥21.26 |
| 10 | ￥19.149569 | ￥191.50 |
| 100 | ￥15.394775 | ￥1539.48 |
| 500 | ￥12.648192 | ￥6324.10 |
| 1000 | ￥10.480026 | ￥10480.03 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 113 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
FDMS3669S 同类别型号
注
FDMS3669S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMS3669S
数据手册PDF。
FDMS3669S
型号：FDMS3669S
品牌：ON
供货：锐单
库存：24000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.264457 |
| 10+： | ￥19.149569 |
| 100+： | ￥15.394775 |
| 500+： | ￥12.648192 |
| 1000+： | ￥10.480026 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.26