货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.025756 | ¥11.03 |
10 | ¥10.73407 | ¥107.34 |
30 | ¥10.534056 | ¥316.02 |
100 | ¥10.334043 | ¥1033.40 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 135 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 93 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQB9N50CTM_NL
单位重量 4 g
购物车
0FQB9N50CTM
型号:FQB9N50CTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.025756 |
10+: | ¥10.73407 |
30+: | ¥10.534056 |
100+: | ¥10.334043 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.03