GTRA362002FC-V1-R0
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- 制造商编号：
- GTRA362002FC-V1-R0
- 制造商：
- CREE(科锐)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥2891.536218 | ￥144576.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GTRA362002FC-V1-R0
制造商
CREE(科锐)
商品描述
200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
包装
-
系列
GaN
零件状态
Active
晶体管类型
HEMT
频率
3.4GHz ~ 3.6GHz
增益
13.5dB
电压 - 测试
48V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
140mA
功率 - 输出
200W
电压 - 额定
125V
封装/外壳
H-37248C-4
供应商器件封装
H-37248C-4
GTRA362002FC-V1-R0 同类别型号
注
GTRA362002FC-V1-R0品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、GTRA362002FC-V1-R0
数据手册PDF。
GTRA362002FC-V1-R0
型号：GTRA362002FC-V1-R0
品牌：CREE
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥2891.536218 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00