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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 8.5 A
耗散功率 38 W
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001533682
单位重量 350 mg
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0IRG4RC10UDTRLP
型号:IRG4RC10UDTRLP
品牌:INFINEON
供货:锐单
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