SI3900DV-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3900DV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.777065 | ￥8331.19 |
| 6000 | ￥2.644837 | ￥15869.02 |
| 9000 | ￥2.522753 | ￥22704.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3900DV-GE3
单位重量 20 mg
SI3900DV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3900DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI3900DV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3900DV-T1-GE3
型号：SI3900DV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.777065 |
| 6000+： | ￥2.644837 |
| 9000+： | ￥2.522753 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00