货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.250398 | ¥42.25 |
10 | ¥38.182569 | ¥381.83 |
100 | ¥31.613123 | ¥3161.31 |
500 | ¥27.528001 | ¥13764.00 |
1000 | ¥23.97602 | ¥23976.02 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 20 A
耗散功率 165 W
集电极连续电流 40 A
集电极连续电流(Max) 40 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 HGTG20N60B3D_NL
单位重量 6.390 g
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0HGTG20N60B3D
型号:HGTG20N60B3D
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.250398 |
10+: | ¥38.182569 |
100+: | ¥31.613123 |
500+: | ¥27.528001 |
1000+: | ¥23.97602 |
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单价:¥0.00总价:¥42.25