货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.561174 | ¥11.56 |
10 | ¥9.497567 | ¥94.98 |
100 | ¥7.38299 | ¥738.30 |
500 | ¥6.257704 | ¥3128.85 |
1000 | ¥5.097608 | ¥5097.61 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3900DV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3900DV-T1-GE3
型号:SI3900DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.561174 |
10+: | ¥9.497567 |
100+: | ¥7.38299 |
500+: | ¥6.257704 |
1000+: | ¥5.097608 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.56