货期: 8周-10周
起订量:1500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1500 | ¥9.62667 | ¥14440.01 |
3000 | ¥9.14538 | ¥27436.14 |
7500 | ¥8.801495 | ¥66011.21 |
10500 | ¥8.510162 | ¥89356.70 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 9.2 mOhms, 9.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 24 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 36 ns, 36 ns
正向跨导(Min) 30 S, 30 S
上升时间 55 ns, 55 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 9.3 ns, 9.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0NVMFD5C470NLT1G
型号:NVMFD5C470NLT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1500+: | ¥9.62667 |
3000+: | ¥9.14538 |
7500+: | ¥8.801495 |
10500+: | ¥8.510162 |
货期:7-10天
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