FGA60N65SMD
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.714597 | ￥37.71 |
| 10 | ￥34.080389 | ￥340.80 |
| 100 | ￥28.215531 | ￥2821.55 |
| 500 | ￥24.569747 | ￥12284.87 |
| 1000 | ￥21.399453 | ￥21399.45 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.9 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 120 A
耗散功率 600 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.401 g
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注
FGA60N65SMD品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGA60N65SMD
数据手册PDF。
FGA60N65SMD
型号：FGA60N65SMD
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.714597 |
| 10+： | ￥34.080389 |
| 100+： | ￥28.215531 |
| 500+： | ￥24.569747 |
| 1000+： | ￥21.399453 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.71