货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥275.230302 | ¥275.23 |
10 | ¥256.804341 | ¥2568.04 |
100 | ¥222.97237 | ¥22297.24 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 550 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 595 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 230 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 3.18 mm
长度 21.08 mm
宽度 23.11 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 3 g
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0IXTZ550N055T2
型号:IXTZ550N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥275.230302 |
10+: | ¥256.804341 |
100+: | ¥222.97237 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥275.23