FGH80N60FD2TU
库存 ：1350
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥74.80234 | ￥74.80 |
| 10 | ￥67.194602 | ￥671.95 |
| 100 | ￥55.05339 | ￥5505.34 |
| 500 | ￥46.865366 | ￥23432.68 |
| 1000 | ￥46.609792 | ￥46609.79 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流（Max） 80 A
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
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注
FGH80N60FD2TU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH80N60FD2TU
数据手册PDF。
FGH80N60FD2TU
型号：FGH80N60FD2TU
品牌：ON
供货：锐单
库存：1350 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥74.80234 |
| 10+： | ￥67.194602 |
| 100+： | ￥55.05339 |
| 500+： | ￥46.865366 |
| 1000+： | ￥46.609792 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥74.80