货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.393178 | ¥12.39 |
10 | ¥10.1748 | ¥101.75 |
100 | ¥7.911805 | ¥791.18 |
500 | ¥6.706445 | ¥3353.22 |
1000 | ¥5.463037 | ¥5463.04 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.4 A, 4 A
漏源电阻 28 mOhms, 73 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20.8 nC, 9.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 44 ns
上升时间 25 ns, 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 44 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM6502CR
单位重量 372.608 mg
购物车
0TSM6502CR RLG
型号:TSM6502CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.393178 |
10+: | ¥10.1748 |
100+: | ¥7.911805 |
500+: | ¥6.706445 |
1000+: | ¥5.463037 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.39