TSM6502CR RLG
库存 ：2354
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.122713 | ￥19.12 |
| 10 | ￥12.865762 | ￥128.66 |
| 100 | ￥8.966258 | ￥896.63 |
| 500 | ￥7.218903 | ￥3609.45 |
| 1000 | ￥6.645984 | ￥6645.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.4 A, 4 A
漏源电阻 28 mOhms, 73 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20.8 nC, 9.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 44 ns
上升时间 25 ns, 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 44 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM6502CR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM6502CR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM6502CR RLG
数据手册PDF。
TSM6502CR RLG
型号：TSM6502CR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：2354 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.122713 |
| 10+： | ￥12.865762 |
| 100+： | ￥8.966258 |
| 500+： | ￥7.218903 |
| 1000+： | ￥6.645984 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.12