货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.070454 | ¥43.07 |
10 | ¥38.703217 | ¥387.03 |
100 | ¥31.710956 | ¥3171.10 |
500 | ¥26.995143 | ¥13497.57 |
1000 | ¥24.746785 | ¥24746.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1600 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 263 W
集电极连续电流(Max) 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW30N160R5 SP001646684
单位重量 6 g
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0IHW30N160R5XKSA1
型号:IHW30N160R5XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.070454 |
10+: | ¥38.703217 |
100+: | ¥31.710956 |
500+: | ¥26.995143 |
1000+: | ¥24.746785 |
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单价:¥0.00总价:¥43.07