
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.216816 | ¥35.22 |
| 10 | ¥31.645919 | ¥316.46 |
| 100 | ¥25.928654 | ¥2592.87 |
| 500 | ¥22.072742 | ¥11036.37 |
| 1000 | ¥20.234357 | ¥20234.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1600 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 263 W
集电极连续电流(Max) 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW30N160R5 SP001646684
单位重量 6 g
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0IHW30N160R5XKSA1
型号:IHW30N160R5XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.216816 |
| 10+: | ¥31.645919 |
| 100+: | ¥25.928654 |
| 500+: | ¥22.072742 |
| 1000+: | ¥20.234357 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥35.22