ZXMC3AMCTA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.7 A, 2.7 A

漏源电阻 100 mOhms, 280 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V, 3 V

栅极电荷 3.9 nC, 6.4 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.9 ns, 7.5 ns

正向跨导（Min） 3.5 S, 2.48 S

上升时间 2.3 ns, 2.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 6.6 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间 1.7 ns, 1.5 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 13 mg