IPG20N10S4L35ATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPG20N10S4L35ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥2.996744 | ￥14983.72 |
| 10000 | ￥2.884078 | ￥28840.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 29 mOhms, 29 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
上升时间 2 ns, 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-35 SP000859022
单位重量 96.690 mg
IPG20N10S4L35ATMA1 相关产品
IPG20N10S4L35ATMA1 同类别型号
注
IPG20N10S4L35ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购IPG20N10S4L35ATMA1、查询IPG20N10S4L35ATMA1代理商；
IPG20N10S4L35ATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
IPG20N10S4L35ATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IPG20N10S4L35ATMA1
替代型号
、IPG20N10S4L35ATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N10S4L35ATMA1
型号：IPG20N10S4L35ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥2.996744 |
| 10000+： | ￥2.884078 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00