NGTB40N120FL3WG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥56.508962 | ￥56.51 |
| 30 | ￥45.101566 | ￥1353.05 |
| 120 | ￥40.354093 | ￥4842.49 |
| 510 | ￥35.606477 | ￥18159.30 |
| 1020 | ￥32.045908 | ￥32686.83 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 454 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 4.083 g
NGTB40N120FL3WG 同类别型号
注
NGTB40N120FL3WG
型号：NGTB40N120FL3WG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥56.508962 |
| 30+： | ￥45.101566 |
| 120+： | ￥40.354093 |
| 510+： | ￥35.606477 |
| 1020+： | ￥32.045908 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥56.51