IPG20N10S4L35ATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPG20N10S4L35ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：33257
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.044167 | ￥18.04 |
| 10 | ￥16.10201 | ￥161.02 |
| 100 | ￥12.557914 | ￥1255.79 |
| 500 | ￥10.373606 | ￥5186.80 |
| 1000 | ￥8.189572 | ￥8189.57 |
| 2000 | ￥7.643703 | ￥15287.41 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 29 mOhms, 29 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
上升时间 2 ns, 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-35 SP000859022
单位重量 96.690 mg
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注
IPG20N10S4L35ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N10S4L35ATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N10S4L35ATMA1
型号：IPG20N10S4L35ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：33257 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.044167 |
| 10+： | ￥16.10201 |
| 100+： | ￥12.557914 |
| 500+： | ￥10.373606 |
| 1000+： | ￥8.189572 |
| 2000+： | ￥7.643703 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.04