货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.86564 | ¥34.87 |
10 | ¥31.305015 | ¥313.05 |
100 | ¥25.650743 | ¥2565.07 |
500 | ¥21.836031 | ¥10918.02 |
1000 | ¥20.017264 | ¥20017.26 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.35 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 274 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IKW50N65ES5 SP001319682
单位重量 6.054 g
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0IKW50N65ES5XKSA1
型号:IKW50N65ES5XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.86564 |
10+: | ¥31.305015 |
100+: | ¥25.650743 |
500+: | ¥21.836031 |
1000+: | ¥20.017264 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥34.87