DMHC6070LSD-13
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMHC6070LSD-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.007785 | ￥7519.46 |
| 5000 | ￥2.929682 | ￥14648.41 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.1 A, 2.4 A
漏源电阻 100 mOhms, 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 5.2 nC, 4.3 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMHC6070LSD-13 同类别型号
注
DMHC6070LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMHC6070LSD-13
数据手册PDF
。
DMHC6070LSD-13
型号：DMHC6070LSD-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.007785 |
| 5000+： | ￥2.929682 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00